电子科技大学物理电子学院， 四川 成都 610054
采用脉冲测试电路，测试了半绝缘GaAs光导开关(PCSS)在锁定工作模式下的偏置电场及触发光能阈值。测试结果表明，在一定光能范围内，电场阈值随光能阈值的增大类似于指数关系减小；激励光能在数10 μJ下，半绝缘光导开关偏置电场阈值为9 kV/cm。当激励光脉冲能量大于0.78 mJ时，光导开关在不同偏压下都不能工作于锁定工作模式而进入线性模式。依据实验测试结果，提出了高倍增偶极畴模型，给出了半绝缘GaAs光导开关的电场与光能阈值的计算结果，在实验误差范围内，理论分析与实验测试结果符合。
物理光学 阈值条件 高倍增偶极畴 锁定模式
中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室 广州 510275
在信号光和闲置光吸收系数不同的情况下对双谐振参量振荡阈值条件进行了分析。导出了阈值条件的一般表达式，并进行了讨论。在信号光和闲置光吸收系数相同的情况下，所得结果就退化为以前的理论结果。此阈值条件具有普遍意义。
吸收系数 参量振荡 阈值条件
Department of Radiology, Taiskan Medical College, Taian 271000
Chinese Journal of Lasers B
1996, 5(4): 319
