天津大学 精密仪器与光电子工程学院, 光电信息教育部重点实验室， 天津 300072
报道了一种半导体激光列阵侧面泵浦Nd：YAG四倍频266 nm全固态紫外激光器，采用Z型腔结构，Ⅰ类临界相位匹配LBO和BBO晶体分别作为二倍频晶体和四倍频晶体。在调制频率为5 kHz时，最终获得了2.1 W的266 nm紫外激光输出，单脉冲能量420 μJ, 绿光到紫外激光的转换率为13.13%，在相同的泵浦功率下利用V型腔结构仅获得305 mW的266 nm紫外激光输出。
激光二极管 侧面泵浦 四倍频 Z型腔 Ⅰ类临界相位匹配 BBO晶体 紫外激光 laser diode side-pumping fourth harmonic generation zigzag cavity type Ⅰ critical phase matching BBO crystal ultraviolet laser
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130022
采用1 W国产半导体激光二极管抽运Nd:YVO4,Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内倍频,获得了74 mW的671 nm红激光输出的实验结果.分析和实验表明,LBO Ⅰ类临界相位匹配是获得高效率倍频红光输出的实用方法.
半导体激光抽运 Ⅰ类临界相位匹配 高效率 红光激光器
