刘志伟 1,2,3路远 1,2,3,*侯典心 1,2,3邹崇文 4
作者单位
摘要
1 国防科技大学 电子对抗学院, 安徽 合肥 230037
2 红外与低温等离子体安徽省重点实验室, 安徽 合肥 230037
3 脉冲功率激光技术国家重点实验室, 安徽 合肥 230037
4 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室, 安徽 合肥 230037
为了给VO2薄膜在定向红外对抗系统防护方面的应用提供理论依据, 我们用透过率调制深度表征VO2薄膜在中红外波段的相变特性。本实验利用分子束外延法(MBE)制备VO2外延单晶薄膜, 经XRD、AFM表征, 发现其具有(020)择优取向、纯度较高, 薄膜表面平整、均匀且致密。经VU-Vis-IR测量发现其近红外透过率相变特性显著, 但在紫外和可见光范围内透过率相变特性较不明显。然后我们对制备时间为30 min、40 min的两组薄膜分别进行25~70 ℃的升温和降温实验, 观察其对波长为3 459 nm、脉宽50 ns、重频50 kHz、功率密度0.14 W/cm2的中红外激光的透过率变化, 并比较两组薄膜的温滞曲线特性。实验发现它们对中红外透过率的调制深度均可达60%以上, 前者比后者对中红外的调制深度高出约4%。这说明利用分子束外延法制备的VO2单晶薄膜具有良好的中红外调制特性, 且调制深度和膜厚有关。进一步表明了利用VO2薄膜实现中红外激光防护具有一定的可行性。
分子束外延 VO2薄膜 透过率调制深度 中红外激光防护 molecular beam epitaxy(MBE) VO2 thin films transmittance modulate depth mid-infrared laser protection 
发光学报
2018, 39(7): 942

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