为提高图像记录系统中 NAND flash阵列的存储带宽, 分别研究和实现了 NAND flash的片内交叉写入、片内并行写入和片内交叉并行写入控制技术, 在此基础上提出了片内交叉写入和片外 2级流水线结合的写入方法, 该方法利用两组 NAND flash片内交叉写入的命令地址和数据加载时间来填补烧写时间。最后用硬件方式在 FPGA中分别实现了上述各种写入控制方式的控制器。实验结果表明: 本文实现的片内并行写入和片内交叉并行写入是普通写入方式速度的 1.489 03倍和3.277 06倍, 而本文提出的写入控制方法的写入速度是普通写入方式的 3.960 38倍, 高于片外 4级流水线的性能情况下, 将 FPGA管脚资源占用节省 20%, 有效降低了成本和记录系统实现难度。