1 四川大学物理系,四川,成都,610064
2 中国科学院高能物理所,北京,100080
利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红移至812 nm,波形展宽,峰高降低.对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.
激光技术 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移
1 四川大学 物理系,四川 成都,610064
2 中国科学院高能物理研究所,北京,100080
利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响.用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低.分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.
量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移 光瞬态电流谱 GaAs/AlGaAs quantum wells free electron laser irradiation photoluminescence spectra red shift OTCS
