高可靠性长寿命碲镉汞焦平面阵列像元性能参数慢慢变差退化失效，确定它的储存寿命要用试验缩短试验时间。有效加速寿命试验ALT或加速退化试验ADT的恒定热应力，应大于高温＋90 ℃、2 160 h。定量加速试验前，应进行高加速应力筛选试验HASS迫使缺陷发展，以暴露可能存在的早期故障。根据碲镉汞红外焦平面探测器杜瓦组件高温储存试验性能退化测试数据，用统计模型对在恒定高温应力水平下获得的失效时间或退化特征性能参数进行转换，得到在＋25 ℃额定应力水平下的储存寿命大于50年。超过3 000 h高温储存试验结果表明，残余工艺应力释放导致试验前1 500 h像元性能有向好的趋势，在高温＋80 ℃的真空环境下烘烤20天不会造成明显的像元性能恶化。

介绍了两种长期储存寿命的考核方法, 通过对晶体管输出型光电耦合器进行加速寿命试验, 记录数据并进行统计分析, 利用寿命模型推算出了晶体管输出型光电耦合器常温下的储存寿命。