清华大学 光盘国家工程研究中心,北京 100084
建立了光盘母盘刻录的光刻模型。该模型使用矢量衍射来计算聚焦光斑的光强分布,使用多层薄膜的光传导来描述光在光刻胶中的传播。给出了关键工艺参数,例如光刻胶厚度、显影液浓度和显影时间,实验研究了这些参数对典型坑点的深度和宽度的影响并进行了仿真。研究结果表明,光刻胶厚度的减小会引起宽度的增大和深度的减小。延长显影时间和增加显影液的效果相当,都会引起坑点宽度和深度的增加。实验和仿真结果吻合,两者偏差在±5 nm以内,证明了模型的正确性。分析结果对实际工作中多阶母盘的制备很有参考价值,同时,理论模型还可用于分析其他工艺参数对母盘刻录的影响,或用于分析其他格式光盘的母盘刻录工艺。
光存储 多阶 母盘刻录工艺 光刻模型 optical storage multi-level mastering process photolithographic model
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都 610209
建立了抗蚀剂表面曝光量分布与抗蚀剂内部PAC浓度分布之间的关系,通过分析抗蚀剂内部PAC浓度分布特点,发现了抗蚀剂显影过程中的壁垒效应。在此基础上,提出一种新颖的微浮雕面形控制方法——等PAC浓度曲线面形控制技术。该方法克服了抗蚀剂显影模型精度以及显影不稳定性对浮雕面形的影响,使光刻胶上微结构浮雕深度超过100mm,面形均方根误差小于1mm。
微光学元件 面形控制 壁垒效应 光刻模型 激光与光电子学进展
2005, 42(12): 25
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室， 成都 610209
提出了一种可对大矢高、非球面微透镜阵列面形进行精确控制的新方法。针对不同面形的微透镜阵列，该方法首先对光致抗蚀剂表面的曝光分布进行设计，然后，利用光致抗蚀剂显影过程中的阈值特性，对微透镜的面形实行控制。当抗蚀剂显影速率接近0时，即可获得设计的微透镜面形。该方法不仅大大提高了微透镜阵列矢高的加工范围，而且还减小了光刻材料显影特性对微透镜面形的影响，提高了微透镜阵列的面形控制精度，在实验中获得了矢高达114 μm的微透镜阵列。最终实现了大浮雕深度、大数值孔径、非球面微列阵光学元件的面形控制。
显影阈值 正性光致抗蚀剂 光刻模型 面形控制
