1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点，光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193 nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要分辨率增强技术(RET)之一。提出了一种基于随机并行梯度速降(SPGD)算法的SMO方法，通过随机扰动进行梯度估计，利用估计梯度来迭代更新光源与掩模，避免了求解梯度解析表达式的过程，降低了优化复杂度。对周期接触孔阵列及十字线、密集线三种掩模图形的仿真验证表明，三种掩模图形误差（PE）值分别降低了75%、80%与70%，该方法较大程度地提高了光刻成像质量。
光学制造 光刻 光源与掩模联合优化 分辨率增强技术 工艺窗口
