1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033
2 中国科学院大学，北京 100049
3 中国人民解放军31032部队，辽宁 沈阳 110020
本文开展了基于半导体光开关技术实现超短脉宽CO2激光输出的物理机制研究。首先，在分析光生载流子过程及载流子复合扩散机制的基础上，引入直接吸收、俄歇复合、等离激元辅助复合以及双极扩散等物理过程，并基于Drude理论，完善了半导体光开关理论模型。其次，利用该模型对两级半导体光开关产生超短CO2脉冲机制进行了数值模拟及分析，结果显示该模型与国外最新实验结果一致，表明了模型的合理性与正确性。最后，利用该模型分析了控制光脉冲宽度对两级光开关工作效率的影响，发现短的控制光脉冲更有利于精确、高效地截取出高质量的超短CO2脉冲。本文研究证明半导体光开关法是实现超短CO2激光脉宽可调输出的有效技术途径。
CO2激光 半导体光开关 光生等离子体 超短脉冲 CO2 laser semiconductor switching laser-produced plasma ultra-short pulse
毫米波和太赫兹(THz)波天线扫描技术已经成为当前电磁领域研究的热点, 光生等离子体栅(PIPG)扫描天线技术作为一种低成本的快速扫描技术为操控毫米波和THz波提供了新的方法和思路。本文将对PIPG扫描天线的原理、结构、效率和方向图等主要研究进展做详细的论述, 并且对PIPG扫描天线的研究意义和存在的主要问题进行讨论和展望, 希望对PIPG扫描天线的研究和应用提供参考。
光生等离子体栅 天线扫描 太赫兹波 衍射 Photo-Induced Plasma Grating antenna scanning THz wave diffraction 太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(3): 329
本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz 波传输特性的方法。利用波长为808nm 的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz 波的吸收系数,进而控制硅片中THz 波的传输特性,并测量了在光强为1.9W/cm2 的激光照射下硅片对THz 波的透射特性。在1.9W/cm2 的激光照射下0.07cm 硅片的THz 波透射量减少了20% 。实验证明,利用激光控制硅片中的THz 波传输是可行的。
THz 光生等离子体 复介电常数 吸收系数 复折射率 THz optic-plasma complex dielectric constant absorption constant complex refraction index
