作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景。
相变材料 纳米结构 光/电存储 改性 
激光与光电子学进展
2008, 45(4): 15

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