构建了由一束弱探测光和两束强控制光耦合到“三明治”型量子阱的能级之间形成N型四能级非对称双量子阱电磁诱导透明（EIT）介质模型，并研究了弱探测光在体系的线性吸收和非线性传播性质。结果表明，当两束控制光均开启后，体系的线性吸收特征曲线呈现出双EIT窗口。有趣的是，无论两束控制光的光强是否相等，所形成的双EIT窗口都呈对称分布。对于非线性情况，仅考虑低阶效应时体系所形成的光孤子并不能稳定地传播而是呈衰减状态；只有计及高阶效应时体系所形成的光孤子才能长距离稳定地传播，且光孤子可通过关闭和开启控制光进行存储和读取。同时还发现，体系所存取的光孤子幅度能通过控制光的光强进行调节。当保持第一控制光的光强不变时，所存取光孤子的幅度随着第二控制光光强的增大而增加；当保持第二控制光的光强不变时，所存取光孤子的幅度随着第一控制光光强的增大而降低。

本文在三能级级联结构的非对称半导体量子阱中研究了荧光的高阶量子关联效应。利用三个激光场同时驱动三个偶极允许的跃迁时, 研究结果发现强度- 强度关联函数和强度- 振幅关联函数依赖于驱动场的相对相位及拉比频率。在三个驱动场拉比频率相等的条件下, 相对相位为0时, 二阶关联呈现出强关联; 相位不为0时, 二阶关联为一般关联。不仅如此, 我们发现改变相位可以调节三阶关联函数时间不对称性程度, 相位为π/2或3π/2正时和负时关联函数表现了较好的对称性。另外, 我们发现通过调节拉比频率的大小可以实现二阶关联由强关联向一般关联效应转换, 三阶强度- 幅度关联的值得到极大增强。最后, 利用修饰态绘景我们分析了上述现象内在的物理机制为多重量子干涉效应。这些结果可能对于高精度测量和产生单光子源具有潜在的应用价值。

在一个具有三能级V 型能级结构的耦合半导体双量子阱中，研究了相干调控下光学双稳态以及双稳态与多稳态的转化行为。研究结果表明，在此物理模型下，光学双稳态的阈值强烈依赖于系统中的非相干抽运强度和存在自发辐射相干下的相对相位，同时，通过调制相位大小，可使系统出现光学双稳态和多稳态之间的相互转换。

We investigate intersubband Rabi flopping in modulation-doped semiconductor quantum wells with and without the propagation effects, respectively. It is shown that propagation effects have a larger impact on Rabi flopping than the nonlinearities rooted from electron-electron interactions in multiple quantum wells. By using ultrashort \pi pulses, an almost complete population inversion exists if the propagation effects are not considered; while no complete population inversion occurs in the presence of propagation effects. Furthermore, the magnitude of the impact of propagation effects may be controlled by varying the carrier density.