声表面波(SAW）器件广泛应用于极端环境传感, 硅酸镓镧(LGS）是常用高温压电晶体, 但高温下应变胶因结合力导致应变传递效果不佳。该文研究了高温环境下应变传感的过渡层薄膜技术, 提出了一种新的过渡层薄膜解决方案及其工艺技术, 可实现高温应变胶水传递应变更稳定的效果。结果表明, 采用溅射Al再氧化可显著提升LGS与高温胶的结合力, 从而实现很好的应变传递, 使用这种过渡层实现了500 ℃下超大量程(1 000 με）测量。

文章综合概述了固相法晶体生长技术的发展过程与研究进展。首先, 回顾了在陶瓷烧结与冶金工艺中经常出现的晶粒异常长大现象, 以及由此发展起来的固相法晶体生长技术。对固相法晶体生长工艺和应用领域等进行了简要介绍, 对固相法晶体生长技术的典型应用案例和发展历程进行了叙述。然后, 着重介绍了一种新的固相晶体生长技术——无籽晶固相晶体生长技术。对无籽晶固相晶体生长技术在无铅铁电压电晶体—铌酸钾钠基晶体中的应用进行详细介绍, 并将该方法与常规的高温熔体法和籽晶诱导固相法晶体生长技术的特点进行了比较。最后, 在介绍当前关于固相法晶体生长机理讨论的基础上, 针对无籽晶固相晶体生长技术, 提出了一种新的综合机制模型, 力图解释无籽晶固相晶体生长的机理。对无籽晶固相晶体生长技术当前存在的问题以及未来的发展, 分别进行了简要的说明与展望。

铌酸锂晶体历史悠久, 物理效应最为齐全, 被用于制备声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等器件, 在电子技术、光通信技术、激光技术等领域得到了广泛应用, 并且在第五代无线通信技术、微纳光子学、集成光子学及量子光学等近期快速发展的领域中展示了重要的应用前景。本文简要综述了铌酸锂晶体的基本性质、晶体制备以及应用情况, 对铌酸锂晶体未来的应用发展进行了简要分析。

利用半波解法对三方相、四方相及准同型相界附近，沿c方向极化(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3晶体的声表面波传播特性进行了对比研究。结果表明，位于准同型相界附近的0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.08PbTiO3晶体的声表面波性能明显优于三方相0.955Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.045PbTiO3和四方相0.88Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.12PbTiO3晶体。具有复杂工程畴结构的0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O3- 0.08PbTiO3晶体声表面波机电耦合系数显著高于四方相晶体。同时0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.08PbTiO3晶体具有相对较小的声表面波相速度和能流角。因此，该晶体适合制作机电性能优越的声表面波器件。

移相干涉技术(PSI)是80年代兴起的一门干涉图形自动识别技术,移相器作为移相干涉技术的关键部件其移相误差将直接影响到移相干涉技术的干涉图的识别精度。本文提出了一种移相器的自校正方法,即利用移相干涉仪的自身系统,通过快速傅里叶方法,对移相器进行逐步逼近校正。结合移相式红外干涉仪的研制,给出了一组移相器的自动校正的实验,实验表明,校正后的移相器的非线性误差可由原来的5%降低到0.2%。