1 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
2 中国科学院化工冶金研究所,北京,100080
3 中国科学院北京高能物理研究所,北京,100039
4 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,210080
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.
Nd:YVO4晶体 环境扫描电镜 同步辐射白光形貌术 晶体开裂 晶体缺陷 Nd:YVO4 crystal environmental scanning electron microscopy （ESEM synchrotron radiation white beam X-ray topography crystal crack crystal defects
