1 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068
2 中国科学院物理化学技术研究所,北京,100101
对一种新型可用于可擦重写光存储的有机光致变色材料――吡咯俘精酸酐,测定了它的光致变色双稳态吸收光谱,呈色态的吸收峰在635 nm,无色态的吸收峰在385 nm。利用其双稳态特性,在吡咯俘精酸酐/PMMA薄膜上实现了图像光存储。所存储的图像对比度高,用普通相机在自然光下即可直接读出。在膜上存储的图像在室温下暗处保存6个月未见消退,估计此条件下保存期可以年计。
光电材料 吡咯俘精酸酐 光致变色 双稳态 图像光存储
