1 山东大学 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
2 中国工程物理研究院 上海激光等离子体研究所,上海201800
3 中国科学院 上海光学精密机械研究所,上海 201800
采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKDP晶体的最大问题在于其抗光伤阈值低于KDP晶体,严重限制了激光输出的能量密度和晶体使用寿命。考察了不同波长下三倍频DKDP晶体的损伤阈值,以及激光退火效应。实验表明,激光退火对于DKDP晶体的损伤阈值有显著的提升作用,基频、倍频、三倍频的提升效果分别达到1.4,1.9,2.7倍,是改善DKDP晶体抗光伤能力的有效途径。
四方相磷酸二氘钾晶体 三倍频 激光损伤 激光退火 DKDP crystal third harmonic generation laser-induced damage laser annealing
