1 兰州大学物理科学与技术学院现代物理系,兰州730000
2 中国科学院核分析技术研究重点实验室,上海201800
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cun-(n是团簇原子个数)团簇束，当团簇束分别在偏压为：0，1，3，5，10kV的电场中加速后，在真空中，沉积在室温下的P型si(111)衬底上，获得Cu／P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜，结果表明：薄膜本身不含C和O等杂质；当CU／P-Si(111)样品暴露在空气中时，样品表面会氧化和碳污染，铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA／cm2Ar+束，预溅射处理样品表面后，用XPS分析，常规磁控溅射室温下得到的Cu／P-Si(111)样品和铜团簇束沉积，偏压分别为0，1，3，5，10kV的样品)XPS谱和块状Cu标样谱基本一样，Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动，反映不出原子结合能差异。
铜团簇束 碰撞沉积 单晶硅 XPS谱 薄膜中的原子结合能 Copper cluster beam Collision deposition Mono crystalline silicon XPS spectrum Atomic binding energy of thin film 原子与分子物理学报
2004, 21(2): 191
1 中国科学院上海光机所量子光学联合开放实验室, 上海 201800
2 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
报道了用激光蒸发/分子束方法产生深度冷却的中性金属团簇。产生的铝团簇Aln(n=2,…,6,7)用193 nm的准分子激光电离,由飞行时间质谱(TOF MS)探测。对激光蒸发/分子束技术产生的团簇束的特点作了简单评述并与其它团簇源作了比较。
团簇 团簇束 光电离 质谱
