于彩茹 1刘京 1王琦龙 1,*狄云松 1,2[ ... ]雷威 1
作者单位
摘要
1 东南大学 电子科学与工程学院,江苏 南京 210096
2 南京师范大学 物理科学与技术学院,江苏 南京 210097
场致发射阴极作为重要的电子源之一,在真空电子器件的发展进程中扮演了重要的角色。在与固态器件的竞争中,真空电子器件朝大功率高频方向持续发展,场致发射阴极的应用使其在器件尺寸、可靠性、功耗和工作频率等方面具备了较大的改进空间。本文综述了近年来大电流场致发射阴极技术进展,特别介绍了碳纳米管场致发射阴极的发展。试验表明在直流测试条件下,该类型场致发射阴极发射电流密度已可达到A/cm2 量级,且可以实现长寿命高稳定发射,未来在场致发射阴极微波放大器、自由电子激光器和新型中子源等方面将有广泛的应用前景。
场致发射阴极 碳纳米管 大功率 真空电子 field emission cathodes carbon nanotubes high power vacuum electron 
太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(1): 148
作者单位
摘要
1 重庆大学,光电工程学院,重庆,400044
2 中国电子科技集团,第24研究所模拟集成电路重点实?槭?重庆,400060
3 中国电子科技集团,第24研究所模拟集成电路重点实验室,重庆,400060
提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器.对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能.采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品.对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24 000个/mm2,起始发射电压为0.5~1 V,反向电压≥25 V,当正向电压为5 V时,单尖发射电流为0.2 nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa.
压力传感器 过载保护 场致发射阴极锥尖阵列 各向异性腐蚀 
光学 精密工程
2004, 12(6): 603

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