强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所), 西安 710024
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极，制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10 V和10 V的栅控横向PNP晶体管，在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012, 6×1012, 8×1012，1×1013 cm-2的中子辐照实验，研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明，基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加，基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
基区表面势 栅控横向PNP晶体管 中子位移损伤 base surface potential gate-controlled lateral PNP bipolar transistor neutron displacement damage 强激光与粒子束
2015, 27(11): 114002
国防科学技术大学,光电科学与工程学院,长沙,410073
为了探寻直排型连续波DF/HF化学激光器的起动特性,建立了一套化学激光器气流通道单喷管小型模型实验装置,通过选用不同的气体(冷气流)作为工作介质和不同的扩压器进行实验,分别研究了工作介质的气动参量对模型起动特性和扩压器喉道最小面积的影响,并与1维定常流理论的计算结果作了比较.最后分析了基区对模型起动特性的影响,比较了两种类型基区的差异.实验结果表明:对于直排型连续波DF/HF化学激光器,采用大比热容比、小相对分子质量的介质作为引射气流,喷管出口和基区之间带有一个向内的圆角,对提高DDCL整体性能是有利的.
化学激光 气动光学 压力恢复 气动参量 扩压器喉道 基区 起动特性
