1 西安邮电大学 电子工程学院, 西安 710121
2 中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119
利用半导体布洛赫方程，讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向偏振的强太赫兹场驱动下吸收谱的一些新奇效应，如主吸收的太赫兹边带、动态弗兰兹-凯尔迪什效应。太赫兹场的频率及其相位对探测场吸收谱的影响也很显著。
太赫兹复制峰 动态弗兰兹-凯尔迪什效应 子带间跃迁 半导体布洛赫方程 terahertz replicas dynamical Franz-Keldysh effect intersubband transition semiconductor Bloch equations
广州大学 物理与电子工程学院, 广东 广州510006
在有效质量近似下, 从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式, 以GaAs/AlxGa1-xAs材料为例进行了数值计算。结果表明, 散射光谱不仅与掺杂浓度有关, 而且与双量子阱的不对称性有关, 随着量子阱不对称性的增加或掺杂浓度的减少, 散射峰发生了红移。本工作对设计新型微电子和光电子器件有一定的指导意义。
拉曼散射 耦合三角量子阱 子带间跃迁 微分散射截面 Raman scattering double triangular quantum wells intersubband transition differential cross-section
1 北京大学物理系,北京,100871
2 清华大学数学系,北京,100084
3 美国亚利桑那州立大学电机工程系,坦佩,AZ85287
从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法,分析计算了以GaSb为衬底的InAs/AlSb,InAs/Al0.6Ga0.4Sb,和以InP为衬底的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As的带阶,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态.发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的56%～62%,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小.设计提出了迄今发射最短波长为2.88μm的由25个周期共250个耦合量子阱组成、外加电场为100kV/cm的子带间量子级联激光器的结构方案.
量子级激光器 子带间跃迁 带阶 非抛物性能带. quantum cascade laser intersubband transition band offset nonparabolic band
