基于发光二极管的显示技术在电视、电脑、手机等终端产品上获得了广泛应用。与传统液晶显示器和有机发光二极管屏幕相比，微型发光二极管（Micro-LED）显示器件在尺寸、性能、功耗、使用寿命等方面均具有显著优势。总结了Micro-LED全彩色显示的技术类别和产品应用场景，综述了实现Micro-LED全彩色显示的最新研究进展，包括巨量转移技术、色转换层集成技术和外延芯片单片集成技术，并进一步比较分析这些技术的优缺点，展望了Micro-LED全彩色显示技术的未来发展。

Micro-LED技术被认为是消费电子领域下一个世代的显示技术。尽管市场上已经有很多公司推出了基于Micro-LED显示技术的样机以及应用示范, 然而Micro-LED显示技术远没有达到成熟的程度。本文从Micro-LED显示技术的历史、定义及技术挑战进行了综述, 重点总结了Micro-LED在工程领域的技术挑战, 最后对Micro-LED技术的未来发展方向进行了探讨。Micro-LED在芯片、巨量转移、全彩化等方面仍存在技术挑战, 但其所展现出的高分辨、快响应、低能耗、长寿命等突出特点, 能满足超小和超大显示的需求, 如虚拟/增强显示和电子广告牌, 展现出巨大的应用潜力, 已经在学术界和工业界引起了广泛研究。

微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一, 它一般指单个尺寸小于50 μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势: 寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是, 它可以实现高度集成显示, 既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件, 也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)。在许多显示技术的指标上, μLED的性能都很优异。但是, 由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小, 且往往密度提高, 因此产生了许多新的技术和物理上的挑战, 例如巨量转移技术、全彩化显示等, 所以μLED尚未实现真正意义上的产业化。本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述, 首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍, 然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评, 最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析。