西北核技术研究所, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
介绍了一种电气绝缘柔软复合材料--DMD膜，通过对膜结构的分析，设计了一种串联等效电路模型对其进行分析。运用该模型，对DMD膜在浸渍前和浸渍后两种情况下的介电常数和介电强度进行了求解并给出计算公式。从公式可以看出: DMD膜的介电常数在浸渍前后有明显的变化，浸渍后的介电常数得到了显著的提高，并且变化率较小; 浸渍后DMD膜的介电强度高于未浸渍DMD膜的介电强度。当浸渍料介电常数愈大，聚酯材料上承受的电场强度愈大，浸渍料上承受的电场强度愈小，由于聚酯材料的耐压强度很高，所以整个传输线的介电强度得到提高。
脉冲功率技术 带状脉冲形成线 DMD膜 介电常数 介电强度 pulsed power technology strip pulse forming line DMD film dielectric constant dielectric strength 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045046
1 国防科学技术大学 光电科学与工程学院， 长沙 410073
2 西北核技术研究所， 西安 710024
介绍了一个基于带状脉冲形成线的低阻抗实验平台，针对该平台设计了两种不同类型结构的匹配负载，并分别进行了实验研究，得到了不同的输出脉冲波形，发现轨道结构的水负载具有很低的负载回路电感，适于作为低阻抗脉冲形成线的匹配负载。实验结果表明：在开关电感一定的情况下，负载回路电感是影响低阻抗形成线输出波形的决定性因素。对于0.5 Ω的带状脉冲形成线，只有将负载回路电感控制在30 nH以内，才能获得波形较好的输出脉冲，高压实验结果也验证了此结论。利用数值模拟的方法，分析了负载回路电感对不同阻抗形成线输出波形的影响，结果表明：随着形成线阻抗的增加，负载回路电感对波形的影响越来越小。
脉冲功率技术 低阻抗带状脉冲形成线 负载回路电感 匹配负载 pulsed power technology low-impedance strip pulse forming line load loop inductance matching load
国防科学技术大学 光电科学与工程学院, 长沙 410073
设计了一台基于磁开关和带状线的超低阻抗长脉冲脉冲发生器。设计输出脉冲电压20 kV，电流40 kA，脉宽230 ns，由初级储能系统、脉冲变压器、磁开关、带状脉冲形成线、轨道开关和负载组成。脉冲发生器的关键设备是40 kV级磁开关，它能将40 kV, 10 μs的脉冲压缩为40 kV, 2 μs的脉冲；超低阻抗卷绕型带状脉冲形成线，其特性阻抗0.5 Ω，电长度115 ns，由铜带和聚酯薄膜卷绕而成，为全固态化脉冲形成线。在大功率匹配负载上得到了电压17.8 kV，电流35.6 kA，脉宽约270 ns的准方波脉冲。实验结果与理论计算及数值模拟结果基本一致。
脉冲功率技术 全固态化 卷绕型带状脉冲形成线 磁开关 轨道开关 pulsed power technology all solid-state rolled strip pulse forming line magnetic switch rail gap switch
