1 华中科技大学机械学院微系统研究中心, 武汉 430074
2 武汉光电国家实验室光电材料与微纳制造研究部,武汉 430074
提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采取的优化策略并给出了剂量控制参量的具体计算方法。理论推导和模拟计算结果表明,新算法既保持了原算法在生产率和剂量精度优化方面的优势,又改进了原算法在激光器成本优化目标上的缺陷。随着准分子激光器及其剂量控制技术的进一步发展,新算法可望更能显示出其优越性并具有更广阔的应用前景。
深紫外准分子激光 剂量控制 扫描曝光 光刻术 优化算法
1 华中科技大学机械科学与工程学院, 武汉 430074
2 武汉光电国家实验室光电材料与微纳制造研究部, 武汉 430074
提出了一种面向步进扫描投影光刻机的深紫外准分子激光实时曝光剂量控制算法。通过建立扫描曝光过程的抽象模型并分析准分子激光器单脉冲能量波动特性,提出采用闭环反馈控制进行实时调节,着重研究了抑制单脉冲能量超调和随机波动的有效算法。在一台波长为193 nm、重复频率为4 kHz、单脉冲能量为5 mJ的ArF准分子激光器上进行了实验研究。结果表明,当脉冲个数仅为20时算法控制下的剂量精度即可达0.89%,不但满足亚微米光刻越来越严的剂量要求,而且有助于提高光刻机生产效率和激光器使用效率。
应用光学 深紫外准分子激光 剂量控制 扫描曝光 光刻机 能量超调 脉冲能量随机波动
1 上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030
2 日本东北大学机械电子系,日本宫城县仙台市,980-7985
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术,即电子束(EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构.用此加工技术获得了100 nm以下的刻蚀精度,并研制成功亚波长光栅.该亚微米线宽微细加工技术可用于布拉格光栅、半导体激光器、无反射表面等需要亚微米结构的器件中.
电子束扫描曝光 快速原子束刻蚀 亚波长光栅
