以门控脉冲高压电源作为火花放电电源, 研究了火花放电辅助-激光诱导击穿光谱中放电通道与火花放电相对于激光脉冲之间延时的关系.研究结果表明: 在合理的剥离激光能量和电极空间布置下, 调节该延时可以实现由“V”字形放电到平行放电的转变.在“V”字形放电时, 火花放电会扩大烧蚀坑洞的直径、破坏横向空间分辨率; 而在平行放电情况下, 火花放电不会扩大烧蚀坑洞的直径, 从而保证其横向空间分辨率仅由激光剥离来决定.在平行放电的条件下开展了铝合金中铬元素的火花放电辅助-激光诱导击穿光谱定量分析, 其检出限达到了8.8 ppm, 比单纯的激光诱导击穿光谱技术的分析结果改善了8倍.在火花放电辅助-激光诱导击穿光谱技术中采用带外触发控制的火花放电模式, 可以实现平行放电和高横向空间分辨的样品表面元素分析.
火花放电辅助-激光诱导击穿光谱 火花放电 放电通道 元素分析 Spark discharge assisted laser-induced breakdown s Spark discharge Discharge channel Element analysis
1 激光技术国家重点实验室,华中科技大学,武汉,430074
2 上海交通大学,分析测试中心,上海,200030
采用准分子脉冲激光,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜, 利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱(PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能.研究表明:沉积温度影响GaN薄膜结构和光学性能,黄带发射峰主要与晶体缺陷有关.在400～700 ℃沉积范围内随着温度升高,GaN薄膜结构和光学性能提高.
GaN薄膜 脉冲激光沉积 直流放电辅助 结构 光致发光光谱
华中理工大学激光技术国家实验室, 武汉 430074
采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度105A/cm2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。
放电辅助 激光淀积 原位生长 超导薄膜
