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为了研究G.657.B3光纤的折射率剖面结构对光学性能的影响，通过设计凹陷沟槽结构的折射率剖面和相应剖面参数(ba值、c、Δnc-和Δn+)，并以适宜的气相轴向沉积(VAD)法工艺、熔融技术以及拉丝条件改善光纤的弯曲损耗，满足光纤传输所需的截止波长、模场直径和低水峰的要求。将工艺优化后所制备的光纤预制棒进行拉丝与测试，结果表明：光纤在1383 nm波长处水峰值降低至0.278 dB/km；在1550 nm、1625 nm波长处，弯曲半径为5 mm绕1圈时的宏弯典型值分别是0.081 dB、0.188 dB，完全满足ITU-T G.657.B3的指标需求。
气相轴向沉积法 光纤 折射率剖面 弯曲损耗 截止波长 羟基(OH-) 高斯分布 vapor phase axial deposition process optical fiber refractive index profile bending loss cut-off wavelength hydroxyl group(OH-) Gaussian distribution
为了提高芯棒尺寸并同时保持理想的沉积效率和合格的光学参数, 采用气相轴向沉积法对影响芯棒尺寸的主要因素进行研究, 优化沉积喷灯数量、包灯SiCl4流量和soot体提升速率。实验结果表明: 三喷灯沉积工艺中, 增加第一、第二包灯SiCl4原料流量至4.0 slm、5.0 slm且降低提升速率至85 mm/h时, 沉积速率显著提高至15.8 g/min, soot体密度增大至0.319 g/cm3, 芯棒尺寸增大至99.1 mm, 同时兼顾沉积效率至52.2%, 并保持良好的G.652D单模光纤折射率剖面。
气相轴向沉积法 大尺寸芯棒 喷灯数量 SiCl4流量 提升速率 沉积效率 vapor phase axial deposition method large size core rod number of deposition blowtorch SiCl4 flow rate lifting rate deposition efficiency
1 成都富通光通信技术有限公司， 四川 成都 611731
2 浙江大学光电系现代光学仪器国家重点实验室， 浙江 杭州 310027
介绍了一种新的改进化学气相沉积法（MCVD）+气相轴向沉积法（VAD）预制棒制备工艺，该工艺按照归一化波导结构进行工艺设计和参数控制，即采用MCVD法制备归一化结构参数轴向一致的芯棒，然后采用VAD法轴向沉积相应的外包层，从而得到波导结构轴向均匀一致的预制棒。采用新工艺实验研究了非零色散位移光纤的制造过程，成功制造了波导结构均匀的光纤预制棒，有效地利用预制棒的锥度增加有效长度，光纤的生产效率提高约15%，节省了成本。详细分析了该工艺方法的三个关键环节：芯棒归一化结构制备，芯棒收缩比的设定，VAD松散体沉积。研究结果对非零色散位移光纤的生产具有实际的指导意义。
光纤光学 光纤预制棒 改进化学气相沉积法 气相轴向沉积法 非零色散位移光纤
