1 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
2 中科院物理所,光学开放实验室,北京,100080
利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中存在张力,由于SiC衬底不平整度增加引起更多位错的出现,从而引起拉曼谱中E2模式的加宽,因此通过选择平整度较好的衬底可以减小缺陷密度,提高薄膜的质量,此外A1(LO)模式的出现与强度可以用来表征未掺杂GaN的薄膜质量.
氮化嫁 碳化硅 异质外延 拉曼散射 GaN SiC heteroepitaxy Raman scattering
