研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO2界面产生界面态缺陷Pb,导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬挂键的钝化作用引起中等注入区基极电流减小,导致电流增益增强。混合模式损伤缺陷位于硅禁带宽度内本征费米能级附近,虽然使基区SRH复合电流增加,却不会改变器件的低频噪声特性。

针对现有基于特定模式成分所设计的高功率mTM0n-TEM/TM01混合模式转换器的工作原理,提出了一种大过模比结构下高功率TM0n混合模式的转换方法,可以实现将状态相对稳定且成分已知的GW量级任意模式成分比例、任意相位差的高功率TM0n混合模式微波高效转换为单一的TEM模或TM01模。利用该设计原则对之前所设计的高功率TM0n混合模式转换器进行优化改进,在保留了原有器件功率容量和频带特性的同时,大幅简化器件设计结构。

由于过模Ka波段高功率微波返波管通常输出TM0n混合模式，在保证较高能量转换效率的条件下，难以同时兼顾其输出模式的纯度，而辐射终端为达到理想发射效果则要求单一模式馈入，这就给输出混合模式微波源的实际应用带来困难。针对这一技术难点，提出了一种结构紧凑的TM0n-TEM(n≤ 5)混合模式转换器的设计方法，利用内外两路同轴阶梯波导并配合适当的插板调相结构可以实现在高功率容量条件下，较宽频带范围内，高效地将TM0n混合模式转换为单一的TEM模，降低了此类高频段HPM源模式纯化设计的难度。

为了实现高Q值极小模体积的表面等离子体微腔,提出一种混合表面等离子体微盘腔,介质微盘上放置横截面为矩形的金属纳米环形条,微盘腔中间由低折射率材料隔离.用有限元法对混合微腔的模式特性进行数值模拟,研究了其品质因子、有效模式体积和腔外能量比随器件几何尺寸的变化规律.结果表明,所设计微盘腔具有较低的传播损耗、较强的光场约束能力和较高的腔外能量比,品质因子高达7 000,最小模体积仅为0.315 μm3,可实现高灵敏度折射率传感.

针对Z箍缩驱动聚变裂变混合能源系统对驱动器的总体要求,对可能的技术路线进行了分析评述,结合当前在单脉冲超高功率Z箍缩驱动器和重复频率脉冲功率技术方面的研究基础,提出了混合模式直线变压驱动器概念设计思想,分析了主要的技术难点,明确了相应的关键技术攻关方向,同时对Z箍缩驱动器的总体发展计划提出了建议。

在对Marx发生器和直线型变压器驱动源(LTD)电路拓扑结构及等效参数进行分析对比的基础上，结合两种电路拓扑结构的技术特点，提出了基于Marx基本回路的混合模式LTD模块构想。在混合模式LTD模块中，每个基本回路是一个多级的Marx发生器回路，回路中只有前一级或几级开关需要外部触发，而后级开关工作在自击穿模式。计算分析表明：混合模式LTD模块设计可以有效降低LTD系统对多路同步触发的要求；独立回路式结构可提高整个混合模式LTD模块的可维护性；回路间耦合触发的方式可提高整个混合模式LTD的工作可靠性。最后，还探讨了回路内阻、磁芯损耗及Marx发生器回路中后级自击穿开关抖动对混合模式LTD模块参数设计的影响。

为解决CO₂激光器高反膜耦合窗在腔内高功率激光作用下产生的热效应问题，对耦合窗的温度场和热形变场进行了理论分析研究。通过谐振腔工作状态分析，首次提出了腔内振荡激光具有混合模式分布的表达式，并利用半解析热分析方法得出了在混合模式下耦合窗产生的温度场和热形变场的一般表达式，同时与将腔内激光分布作均匀分布、高斯分布假设下耦合窗的情况作了对比分析。研究结果，当腔内谐振功率为3800W、腔内激光混合模式分布时，耦合窗内表面中心最大热形变量约为0．91 μm，作均匀分布、高斯分布假设分别造成最大热形变量偏小20．88%，偏大78．02%。

介绍在圆柱过模波导中虚阴极振荡器产生高功率微波实验中用天线阵测量微波模式的原理和方法.测量微波模式对研究高功率微波产生的机理具有重要意义.结合在圆柱过模波导壁上安装小电探针天线和小磁环天线测量微波模式的方法,用天线阵测量圆柱过模波导中开口辐射的电磁场空间分布.应用最小二乘法优化原理拟合高功率微波模式功率分布.用天线阵测量了圆柱过模波导中虚阴极振荡器产生高功率微波混合模式功率分布.