作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 北京城市学院 信息学部, 北京100083
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明: GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列, 生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间, 形态规整, 具有较好的石墨微晶结构。在此基础上, 提出在微尖上生长纳米管的模型, 为实现微纳器件互联提供了一种新方法。
碳纳米管 热化学气相沉积 选择液相外延 carbon nanotubes T-CVD GaAs GaAs liquid phase epitaxy 
发光学报
2013, 34(7): 841

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