为进一步提高GaN基发光二极管（LED）的光效，以改进电极结构为研究点，设计并制备了具有叉指型电极形状，并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构。该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触，进而提高了器件的电流扩展能力和发光效率。为了得到更优的电流阻挡层（CBL）结构、电极孔尺寸和电极孔间距，设计了7种不同的器件，并对其进行了光电性能测试。测试结果表明：在150 mA工作电流下，不连续CBL结构不能够有效改善LED的发光性能；P电极孔尺寸对器件的性能影响不大，当P电极孔间距由20 μm增大为30 μm时，外量子效率（EQE）和光电转换效率（WPE）分别提升了约5.0%和3.8%；当N电极孔尺寸由17 μm×5 μm减小为10 μm×5 μm时，EQE和WPE分别提升了约6.5%和3.0%；当N电极孔间距由45 μm减小为40 μm时，并未有效改善器件的发光性能。

针对MEMS系统中硅通孔(TSV)的热可靠性, 利用快速热处理技术(RTP)进行了温度影响的实验分析。通过有限元分析(FEA)方法得到不同温度热处理后TSV结构的变化趋势, 利用RTP对实验样品进行了不同温度的热处理实验, 使用扫描电子显微镜和光学轮廓仪表征了样品发生的变化。结果表明, 热处理后TSV中Cu柱的凸起程度与表面粗糙度均随热处理温度的升高而增加, 多次重复热处理与单次热处理的结果基本相同。该项研究为TSV应用于极端环境下MEMS小型化封装提供了一种解决方案。

基于激光电子散斑技术(ESPI)可测量微小形变和位移的原理,对超大规模集成电路(VLSI)进行了热稳定性测试。由实验分别得到了两片同型号CPU在相同热加载时的电子散斑图,利用离面位移的近似计算公式,求出各热加载下的离面位移值,进而拟合出了离面位移随热量的变化曲线。通过分析曲线的变化规律,推测出了CPU的热稳定性和热可靠性的优劣。该检测方法具有快捷、无损以及可信度高等特点,不仅能够适用于大规模集成电路封装的热可靠性测试,而且在诸多电子器件、光电子器件的热特性和封装可靠性测试中,也具有十分重要的推广应用价值。