相同关键词【电子-空穴竞争】论文列表 -- 中国光学期刊网

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作者单位

摘要

¹ 哈尔滨工业大学应用物理系, 哈尔滨 150001

² 哈尔滨工业大学应用物理系, 哈尔滨 150001

³ 哈尔滨工业大学光电子技术研究所, 哈尔滨 150001

通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性，首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子一空穴竞争。根据耦合波理论，指出，响应时间越快的晶体，电子一空穴竞争越激烈，因而导致净调制折射率越小，衍射效率越低。最后，分析了空穴产生的原因，并估算有效载流子浓度为1015/cm3量级。

光学学报

1996, 16(7): 972

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