基于平面波赝势密度泛函理论,研究了La,Ce,Nd 掺杂SnO2的电子结构和光学性质.计算结果表明,La 附近的键长变化最大,而Nd 附近的键长变化最小,这表明稀土掺杂SnO2 引起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关.能带结构表明,稀土掺杂可使SnO2的带隙变窄.La 掺杂相比较本征SnO2,带隙减小了0.892 eV,Nd 掺杂在SnO2的禁带中引入了3 个能级.差分电荷密度分析表明,稀土掺杂使SnO2的电子重新分配且由于f 电子的存在使其离子性增强.La 原子失电子最多,Nd 原子失电子最少,这和计算的能带结果是一致的.光学性质表明,介电函数的虚部和吸收函数因稀土掺杂出现了不同程度的红移,这和计算的能带结果非常吻合.