1 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049
2 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
3 西安交通大学电子物理与器件教育?恐氐闶笛槭?陕西,西安,710049
为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究.通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应.计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区.
半导体断路开关 电流截断效应 脉冲功率 数值模拟 Semiconductor openin switch Current opening effect Pulsed power Numerical simulation 强激光与粒子束
2005, 17(12): 1893
