以11 MV回旋加速器潘宁离子源作为研究对象，通过调节磁场强度研究了磁场对工作在弧放电模式下的潘宁离子源的影响规律，深入分析了该放电模式下的放电自持机制、磁场引起的阻抗变化规律、异常发光现象。实验在6 mL/min氢气流量下，保持离子源弧流不变，调节磁场强度，记录磁场强度对弧压的影响。实验结果表明: 二次电子发射机制与热电子发射机制在潘宁源自持放电过程中发挥了同样重要的作用; 在强磁场情况下离子源阻抗受到磁场变化影响不大，在磁场小于0.15 T时磁场的作用才变得明显; 当磁场减弱至等离子体进入阻抗增长区后，存在一段等离子体剧烈放电、光强突然增加的区域。在实验的基础上，得到了设计潘宁源的启发，并分析了磁场对等离子体电导率影响的微观物理机制，这些有助于研制或使用工作在弧放电模式下的潘宁离子源。

基于常温反应磁控溅射和热处理工艺, 在硅片(100)衬底上, 制备出了具有相变特性的二氧化钒(VO2)薄膜, 采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后, 薄膜晶粒开始生长, 在[2θ=]27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的(011)、(200)、(210)衍射峰, 薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试, 相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级, 具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。

VO2是一种热致相变材料。发生相变时VO2 的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氧比(0 2 : Ar) 、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO x 薄膜的结构、电阻温度性能的影响。结果表明,当氧氢比为1. 0 : 15 、工作气压为2.0Pa 时,制备的薄膜中V0 2 的含量较多;衬底温度为250 oC 时,制备的VO x 薄膜的电阻温度突变性能最佳。