为了获得高稳定性的偏振光，研制了氧化孔区域为70 μm×10 μm 的非对称电流注入的矩形台面垂直腔面发射激光器(ACIR-VCSEL)。在室温下，注入连续直流电流，实验测试得到ACIR-VCSEL 的斜率效率为0.483 W/A，微分串联电阻为23.5 W。在电流注入过程中，ACIR-VCSEL 以稳定的平行于长边的偏振光输出，功率偏振比始终大于5。当电流为15 mA 时，功率偏振比的最大值为14。在相同的测试条件下，氧化孔径大小同为70 μm×10 μm 的环形电流注入矩形台面VCSEL (RCIR-VCSEL)的斜率效率为0.568 W/A，微分串联电阻为18.1 W，偏振功率比值最大值为9，最小值为2.6。RCIR-VCSEL 与ACIR-VCSEL 的输出特性相比，虽然RCIR-VCSEL 比ACIR-VCSEL 的斜率效率高，串联微分电阻小，但是ACIR-VCSEL 的偏振稳定性和最大偏振比值比RCIR-VCSEL 增强。

为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）大功率窄线宽输出，设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器（SR VCSEL）。电流密度分布会影响模式的分布，模拟结果表明，矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL，在有源区面积增大的情况下，电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后，高阶模式比基模的阈值增益的变化大，基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明，矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制，测试结果得到连续输出为5.87 mW，光谱宽度为0.1 nm，功率偏振度为10，横向模式抑制比超过30 dB的窄线宽输出。