针对烧结碳化硅在制作过程中形成的孔洞缺陷会造成严重的反射镜表面散射问题, 提出了用等离子体辅助沉积技术镀制硅表面改性层来消除表面缺陷以降低反射镜的表面散射。应用扫描电子显微镜测量了未改性的烧结碳化硅试片, 并分析了表面散射成因。搭建了总积分散射仪, 测试了改性前后的烧结碳化硅试片及抛光良好的K9玻璃试片的总积分散射。结果显示: 烧结碳化硅试片改性前后的总积分散射分别为3.92%和1.42%, K9玻璃的总积分散射为1.36%。使用原子力显微镜测试了烧结碳化硅试片改性抛光后表面和K9试片表面的均方根粗糙度, 结果分别为1.63 nm和1.04 nm, 证明了改性后的烧结碳化硅试片消除了表面缺陷, 显著地降低了表面散射, 表面光学性能与抛光良好的K9玻璃接近。

反应烧结碳化硅(RB-SiC)是一种性能良好的反射镜镜胚材料，但其固有的一些缺陷导致未经特殊处理无法获得光滑的光学表面。使用X 射线衍射(XRD)测试了反应烧结碳化硅试片的晶体结构，结果表明其主要成分为多晶态碳化硅和多晶态硅。扫描电子显微镜和原子力显微镜的测试结果指出镜胚表面残留的孔洞及抛光形成的台阶是造成散射降低光学性能的原因。通过等离子辅助沉积技术在反应烧结碳化硅表面镀制了一层硅改性层，消除了缺陷，再精细抛光硅改性层，获得了质量良好的光学表面。自行搭建的总积分散射仪对镀制硅改性层前后的反应烧结碳化硅表面进行了测量，总积分散射分别为9.37%和1.84%，改性后数值降低到改性前的1/5。反应烧结碳化硅反射镜光学性能得到了明显提高，接近抛光良好的K9 玻璃。

展示真实的工艺结论,介绍在基片本身或监控片上进行光学直接监控的方法应用于大面积(最大基片盘直径φ1400 mm)镀膜的成功经验.直接监控技术可以最快速的再现高难度的设计要求,保证大面积,高精度镀膜设备上的高成品率.文中列举的各类多层膜的实验结果清楚地证明了这种强大的监控手段的应用潜力.可使用直接监控方式镀膜的膜系包括截至滤光片,偏振膜,分光膜以及多腔带通滤光片.所有这些膜系都是在PIAD(等离子辅助沉积)和PARMS(等离子体辅助反应磁控溅射)的方式下完成的.实验的重复性和均匀性体现了直接监控的优势.在塑料基底上应用等离子体辅助工艺的关键在于调整离子源或等离子源本身.他们改变热度和等离子轰击的能力通常是工艺的关键因素,从而使工艺更适合于象塑料这样对温度和等离子轰击敏感的基材.