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中国光学2006
Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究
张云鹏 1颜世申 1,*陈延学 1刘国磊 1[ ... ]陈良尧 2
作者单位
摘要
1 山东大学物理与微电子学院, 济南 250100
2 复旦大学光科学与工程系, 上海 200433
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱, 发现通过调制样品成分和退火处理, 可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强, 克尔角最大值达到0.72°, 这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。
磁光克尔效应 磁性半导体 纳米复合体系 
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激光与光电子学进展
2007, 44(2): 29
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