1 南京大学 电子科学与工程学院, 江苏省光电功能材料重点实验室, 南京 210093
2 南京大学 扬州光电研究院, 江苏 扬州 225009
半导体禁带宽度Eg与温度的依赖关系Eg(T)是一个基础的理论课题, 对材料特性的认识具有极其重要的意义。目前, 对不同半导体材料的Eg(T)研究存在多种半经验的理论模型, 尚未形成定论, 所以该课题仍然是一个基础研究的热点。文章梳理了近几十年来Eg(T)分析模型的发展历程, 分析了Varshni模型以及基于晶格振动和电子声子作用发展出的四个半经验模型的优缺点, 提出了新的问题, 对Eg(T)研究的进一步发展以及基于声子特性改善光电子器件性能具有指导意义。
带隙温度依赖 Varshni模型 能带收缩 声子色散 声子特性 热导率 迁移率 Eg(T) Varshni model energy band shrinkage phonon dispersion phonon characteristics thermal conductivity mobility
