采用自增强技术与硅压阻效应研制了超高压力传感器，该传感器能够消除封装残余应力的影响并保证其在进行大量程压力测量时具有较高的灵敏度输出。该传感器的弹性元件为圆筒结构的高强度弹簧钢，敏感元件为平膜倒杯式硅压阻芯片。传感器工作时，超高压力作用在圆筒结构的金属弹性元件使其发生轴向位移，该位移量通过弹性元件顶端的传递杆施加到周边固支的硅压阻芯片上，使置于此处的4个电阻条阻值发生线性变化，从而输出与被测压力成正比的电压值。在研究弹性元件在1 000 MPa超高压力下的工作性能时，理论与仿真相结合研究了弹性元件的承载强度，确定采用自增强处理技术提高弹性元件的承载能力。最后，对封装好的传感器静态性能进行了标定实验。实验结果表明，该传感器能够承受1 000 MPa以上的工作压力,线性度为0.52%，满足工业领域的应用需求。

在超快二波耦合配置下的LiNbO3:Fe晶体中写入了体相位栅,通过一定的脉冲写入方法进行飞秒脉冲写入光栅的衍射自增强实验,在双光写入饱和后进行单写入光照射,产生了持续1 h的衍射自增强,同时又发现在光栅写入未饱和的时候改为单光写入也产生了衍射自增强现象,持续2 h。随后从光调制角度分析了该自增强现象的理论原因：脉冲衍射光和写入光共同作用,提高了二者耦合程度,写入了新光栅,从而加强原光栅,导致衍射效率提高,从而证明飞秒脉冲写入光栅的读出擦除可抑制,这对提高光全息记录的读出质量有正面意义。

研究了自泵浦位相共轭器利用间歇入射光在无光照期间的新奇的自增强现象。发现采用间歇入射光可以显著缩短掺铈与掺锰钾钠铌酸锶钡单晶自泵浦江相共轭器的响应时间。通过实测晶体的光伏与热释电电场,利用电荷输运的基本模型,对实验现象给出了定性解释,且给出了进一步的实验验证。据此,分析了自泵浦位相共轭器的保真度下降的原因。