1 中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083
2 中国科学院大学，北京100039
利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化，通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现，二次阳极氧化方法能够更好地降低材料表面悬挂键的密度，同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量，从而降低材料的表面复合速度，改善材料的非平衡载流子寿命，利于制造出高性能的HgCdTe红外探测器.
二次氧化 少子寿命 表面复合速度 HgCdTe HgCdTe second anodization minority carrier lifetime surface recombination velocity
