1 长沙学院电子与通信工程系,湖南 长沙 410003
2 长沙学院光电信息技术创新团队,湖南 长沙 410003
高数值孔径(NA)光刻中,需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响。 采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜(BARC)对衬底反射率的控制。 针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限。 结果表明,当NA超过0.8时,单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC。 横电(TE)比横磁(TM)偏振光的衬底反射率更难以控制。NA越大,单层BARC折射系数的优化值越大。 双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料。本研究可为高NA光刻中的BARC材料 研制及衬底反射率控制提供理论依据。
薄膜光学 衬底反射率 底层抗反膜优化 高数值孔径光刻 thin film optics substrate reflectivity bottom antireflection coating optimization hyper-numerical-aperture lithography
1 中国科学院电工研究所, 北京 100080
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
3 北京理工大学, 北京 100081
在高数值孔径光学光刻中,成像光入射角分布在较大范围内,传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂衬底界面反射率(衬底反射率)。考虑照明光源形状以及掩模的影响,提出了一种新的双层底层抗反膜优化方法,依据各级衍射光光强求衬底反射率的最小权重平均值来配置膜层。针对传统掩模、衰减相移掩模以及交替相移掩模的情况,用该方法优化双层底层抗反膜。结果表明,如果成像时进入物镜光瞳的高阶光越多,高阶光光强越大,则掩模对底层抗反膜优化的影响越大。在某些成像条件下,如使用交替相移掩模实现成像,有必要在底层抗反膜优化中考虑掩模的影响。
光学光刻 衬底反射率 底层抗反膜(BARC) 高数值孔径
