超分辨近场结构光存储技术(Super-RENS)是一种利用功能薄膜结构实现突破光学衍射极限的信息点记录和读取的新技术，作为超分辨光盘结构的掩膜材料是决定其性能的关键。利用透射电子显微镜研究了可作为超分辨光盘掩膜层Sb2Te3薄膜的晶态结构、表面形貌；利用光谱仪和椭偏仪分析了其光学性质随膜厚的变化。结果表明，沉积态Sb2Te3薄膜呈弱晶状态，在一定厚度范围内，其光学性质随膜厚的不同有较大变化。当膜较薄时，其消光系数和折射率随膜厚的增加而减小；当膜厚达到一定值时，其光学常数随膜厚的增加逐渐趋于稳定，即存在膜厚影响临界值。消光系数和折射率的膜厚影响临界值分别在80 nm和50 nm左右。薄膜的光学性质与膜厚的关系可以用薄膜结构的连续性来解释。

以菲涅尔-基尔霍夫衍射理论为基础,建立了超分辨近场结构中Bubble微结构对高斯光束的衍射模型.分析了PtOx型超分辨近场结构(PtOx-Type-Super-RENS)中Bubble微结构的远场光学特性结果表明,设计的Bubble微结构形成过程的简化模型可基本反映超分辨近场结构中掩膜结构在激光作用下的结构变化过程,说明了高斯衍射模型是研究薄膜微结构变化的一种有效方法.

超分辨近场结构(Super－RENS)是近场光学存储中最具有潜力和应用前景的方案之一。介绍了SuperRENS从基本类型到第三代Super－RENS的发展历程，简述了掩膜材料的研究进展以及Super－RENS在不同记录系统中的应用。展望了它的发展前景。

超分辨近场结构光盘是最有希望达到100 GB以上的存储容量方式之一,而其记录和读出机理是研究中的重点,在近年文献研究的基础上,阐述了超分辨近场功能薄膜的膜层结构及其机理的研究进展。

超分辨近场结构(super-RENS)技术通过在传统光盘结构中插入掩膜结构而实现近场超分辨,是目前最具实用化前景的超高密度光存储技术之一,其中掩膜层的近场光学特性是决定其光存储性能的关键。利用三维时域有限差分法(3D-FDTD)对合金掩膜的近场光强分布进行了数值仿真和分析,提出二元共晶合金薄膜在激光作用下形成的规则微结构可能是以其作为掩膜层的超分辨近场结构光盘产生较高信噪比(SNR)的原因。

超分辨近场结构(Super-RENS)是在传统的超分辨光盘技术和近场光学的基础上发展起来的新技术.介绍了超分辨近场结构的基本原理及其在纳米光刻方面的应用,拓展了超分辨近场结构的外延:在近场范围内,能实现超过衍射极限的纳米多层膜结构.局域表面等离子体效应在高密光存储、纳米光刻等纳米光子学研究领域具有重要的科学意义和应用价值.

超分辨近场结构(Super-RENS)技术是近年来发展起来的一种新型近场光存储技术,是目前最有实用化前景的纳米尺度近场超分辨技术之一。初步研究表明,其近场超分辨特性与非线性响应密切相关,研究其非线性光学特性对阐明物理机制、发展新的掩模材料和非线性光学应用都具有重要意义。对散射中心型超分辨近场结构非线性光学特性的最新研究进展进行了介绍和分析。

采用共焦Z扫描系统,以λ=532 nm,脉冲宽度0.7 ns,重复频率15.79 kHz的脉冲半导体激光器作为入射光源,研究了AgOx超分辨近场结构(SuperRENS)薄膜样品的非线性光学性质,实验获得了其三阶非线性折射率系数随入射光功率的变化曲线,并与Au,Ag薄膜作了比较,讨论了光致非线性变化过程。结果表明,在聚焦激光作用下,AgOx超分辨近场结构薄膜样品存在一相变点,即解析出纳米Ag颗粒,满足了产生局域表面等离子体的激发和增强效应的条件。

介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展.新技术的基本原理是:光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中间的电介质保护层实现了近场光的最佳耦合,减小了线宽并大大提高了光刻速度.这种膜层结构叫超分辨近场结构(Super-PENS),是近年来发展起来的一种新的近场光学技术.

用磁控溅射法制备了具有超分辨近场结构的系列薄膜,测量了非线性层AgOx的光开关特性及其结构随温度的变化,分析了AgOx的光开关特性与微结构之间的内在联系.