1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和器件重点实验室, 上海 200083
3 中国科学院大学, 北京 100049
4 上海科技大学 物质科学与技术学院, 上海 201210
为了获得 In0.83Ga0.17As 探测器的暗电流机制, 采用了 TCAD 软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明, 超晶格势垒可以调整器件的能带结构, 改变载流子传输特性, 降低SRH复合, 从而降低器件的暗电流, 仿真结果与实验结果吻合.在此基础上, 分析了势垒位 置和周期变化对暗电流的影响, 提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构.
In0.83Ga0.17As 探测器 超晶格电子势垒 暗电流 TCAD 仿真 In0.83Ga0.17As detector super lattice(SL) electronic barrier dark current TCAD simulation
