华南师范大学 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 激光生命科学教育部重点实验室, 广东 广州510631
运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响, 建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明: 当量子阱宽较窄时, 极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因, 而电子泄漏是导致效率下降的主要原因; 当阱宽较大时, 能级填充是导致光谱红移的主要原因, 俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出, 当量子阱宽为2.5~3.5 nm时, InGaN/GaN发光二极管获得最大内量子效率与发光效率。
量子阱宽 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管 width of quantum well efficiency droop numerical simulate InGaN/GaN LED
