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相同关键词【锗硅BiCMOS工艺】论文列表

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Millimeter Wave and Terahertz Technology

一种低功耗245 GHz次谐波接收机

毛燕飞 ^1,2鄂世举 ^1,*Klaus SCHMALZ ³SCHEYTTJ. Christoph ⁴

作者单位

摘要

¹ Engineering College, Zhejiang Normal University, Jinhua 32000, China

² State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 11189, China

³ IHP, Microelectronics, Frankfurt Oder, 1526, Germany

⁴ Heinz Nixdorf Institute , Paderborn University, 33102, Germany

介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机，该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对（APDP）混频器、120 GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成，采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽，噪声系数为20 dB, 输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm，接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW，接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.

次谐波接收机锗硅BiCMOS工艺低功耗共基极低噪声放大器二次次谐波无源反接并联二极管对混频器中频放大器 245 GHz 245 GHz subharmonic receiver SiGe BiCMOS technology low power common base LNA 2nd passive APDP SHM intermediate frequency (IF) amplifier

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红外与毫米波学报

2019, 38(6): 739

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