重庆大学数理学院物理系凝聚态物理研究所，重庆 400044
采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型，利用镜像电荷的方法分析了不同介电常数下，界面效应对半导体量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的扰动情况。通过计算考虑到杂质对电子的束缚作用前后的电子的基态能，可以看出对于处在弱受限情况下的量子点，异质结厚度在小于10nm时，界面效应对类氢杂质电子束缚能级的影响明显。当异质结壳层厚度增大的时候，界面效应的影响将逐渐减弱，受扰动的基态能也逐渐减小，最后不同Airy函数零点值所对应的基态能趋向于某一固定值，此时界面效应可以忽略。
光电子学 量子点异质结 界面效应 渐变势阱 镜像电荷法 optoelectronics quantum dot heterostructures interface effect graded potential well image charge method
中国科学院上海光机所激光技术开放实验室, 上海 201800
采用准静态近似,讨论了微带结构行波普克尔盒(Pockels—cell)内的电场分布及晶体的电光效应。计算得出,由于电场的不均匀性,微带结构的LiTaO3行波普克尔盒半波电压要比通常理想行波普克尔盒的半波电压大。
微带 行波普克尔盒 电光效应 准静态近似 镜像电荷 半波电压
