1 大连理工大学物理系，大连 116024
2 辽宁师范大学物理系，大连 116029
3 大连理工大学材料科学与工程学院，大连 116024
将中频磁控溅射方法沉积制备的镱铒共掺A12O3薄膜刻蚀成矩形截面、直线通道的光波导放大器．测量了净增益与抽运功率的关系，结果表明：净增益随抽运功率近似线性增加，阈值抽运功率为18mW；抽运功率为68mW时，长2．24cm的光波导放大器净增益为8．44dB．数值模拟结果显示，相同抽运功率下的净增益为10．6dB．
镱铒共掺光波导放大器 薄膜制备 净增益 数值模拟 Yb∶Er co-doped waveguide amplifier Fabrication of film Net gain Numerical simulation
