暨南大学 信息科学技术学院电子工程系,广州 510630
二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态。同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解。
多晶硅薄膜晶体管 二维器件仿真 陷阱态密度 double-gate polysilicon thin film transistors two-dimensional simulation density of states
1 贵州大学 贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州 贵阳550025
2 中国科学院地球化学研究所,贵州 贵阳550003
脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720-800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化将导致受激发光峰有明显的红移现象。由傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析得到:SiGe合金上氧化层中的量子点同时含有Si=O和Ge=O双键结构,这种结构可以形成电子的局域陷阱态(或陷阱态的激子)。计算显示:在SiGe量子点中Ge=O双键可以减小半导体样品中价带和局域陷阱态之间的距离。这就解释了SiGe量子点受激发射的红移现象。
SiGe量子点 受激发射 陷阱态 红移
1 贵州大学 贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳 550025
2 中国科学院 地球化学研究所,贵阳 550003
经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时,在650～750 nm区域有很强的受激发光峰。这些受激发光峰的半高宽小于0.5 nm。激光辐照和高温退火后,在样品上能形成某些特殊的氧化结构。在傅里叶红外光谱分析中,显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成。计算结果表明:当硅氧双键或硅氧桥键形成时,电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中。价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键。
受激辐射 多孔硅 量子点 陷阱态 stimulated emission porous silicon quantum dots trap states
