开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用 60 Coγ射线对三款国内外生产的 SiC MOSFET器件进行总剂量辐照试验, 获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在 25 ℃,100 ℃,175 ℃下的辐射损伤特性, 比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度。仿真实验结果表明, 不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性, 而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感。此外 SiC MOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性, 还随生产厂家的不同而呈现明显差异性。分析认为, 在其他条件相同情况下, 器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低, 主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起。

针对保偏光纤陀螺静态参数受光路偏振串扰误差的影响而使陀螺精度受到制约的问题，从实际应用的角度，研究了保偏光纤陀螺光路中由于各光学器件不理想和熔接点对轴角度误差等因素引起偏振串扰误差的机制。基于琼斯矩阵和相干矩阵，并引入随温度变化的保偏光纤双折射变量，建立了变温环境下保偏光纤陀螺的光路传输模型，对变温环境下偏振串扰误差对保偏光纤陀螺零漂和随机游走的影响进行了理论分析和估算。同时开展了变温环境下光纤环偏振串扰对其静态参数影响的相关实验。实验结果与模型分析结果基本一致，表明该模型是合理的。

为提高**火控静态性能指标的测试精度, 设计了火控性能参数静态测试系统, 用于对火炮炮身松动量、过渡过程品质、刚性、漂移速度及最大调炮速度等参数进行测试。通过相对测试的方法, 运用光学测量头拍摄炮口在坐标靶上的相对运动图像, 计算出相关参数。采用弹性胀套的连接方式, 实现了静态测量头的可靠安装及方便拆卸。结果表明: 在-30℃～+50℃环境温度下, 光学系统的MTF值可达0.6以上, 接近系统的衍射极限;当2ω=9.15°, f′＝50 mm时, 静态测角精度σ≤0.2 mil。安装夹具适应100 mm、105 mm、125 mm火炮的固联安装, 测试系统可对某型坦克炮管的相关指标进行实测, 也可广泛应用于高炮、装甲车辆、舰载火控系统、坦克等多种**装备。

针对目前火炮身管静态参数测量中存在的问题，发明了轴向运动精度达万分之五和周向运动精度达0.1°的口径自适应机械公共平台，设计了双MCU 控制的硬件公共平台和模块化的软件公共平台，结合可实现疵病全参数测量的疵病检测模块可使疵病长度和深度的测量精度达0.1 mm；与利用高精度光栅副设计的内径测量模块结合可使内径参数测量精度达0.000 2 mm；与其他测量模块结合即可完成其他各种参数的高精度测量。与其他同类系统比较，该测量系统结构紧凑轻便，使用操作方便，具有测量精度高，定位准确，可扩展性好，可靠性高，可维护性好，适合火炮全寿命过程检测应用的特点。

信号传递函数(SiTF)是评价红外热成像系统性能的最基本的技术指标之一,该参数能够反映系统的增益、线性度、动态范围、饱和特性及均匀性.介绍了凝视型热成像系统的信号传递函数模型、测量方法和测量步骤,并详细分析了测量此参数时热成像系统工作状态设置,并对其影响给出实验结果.