黄涛华 1,2,*邹军 1,2周健华 1,2王军 1[ ... ]周圣明 1
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
g-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合g-LiAlO2的基本性质,详细介绍了g- LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
GaN薄膜 非极性发光二极管 
激光与光电子学进展
2006, 43(12): 36

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