西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
选择了四种典型双极集成电路，在两种不同剂量率下，开展了不同温度的高温辐照加速实验，测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明：高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计，且存在最佳辐照温度，最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移，随剂量率的增大向高温区漂移，在相同剂量率和总剂量下，输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态 bipolar integrated circuit low dose rate elevated temperature irradiation interface state 强激光与粒子束
2014, 26(3): 034003
