实验室于1994年由国家批准建设，1996年建成并通过验收，1997年正式开放运行。现有固定人员36人，研究人员35人，其中具有博士学位研究人员28人，现任实验室学术委员会主任由中国科学院院士王立军研究员担任。

实验室以高功率半导体激光器物理、工艺技术和应用基础研究为研究重点，注重激光器新材料、新器件、新工艺的探索研究，是我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。

实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产过亿元，为光电子领域的相关研究提供了良好的条件支撑。

实验室的长期发展目标是：主要研究方向达到国际先进水平，聚集和培养创新型领军人才和学术带头人，跨入世界一流实验室行列，为国家科学技术发展、经济建设和社会发展做出应有的贡献。